تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون صواب خطأ ؟
حل سؤالك تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون صواب خطأ وإظهار النتيجة مع "علم السؤال"
احصل على حلول مفصلة للأسئلة المدرسية وأوراق العمل والاختبارات، مع شرح مفصل للخطوات والمفاهيم الأساسية.
تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون صواب خطأ ؟
الإجابة الصحيحة:
خطأ.
تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون صواب خطأ؟ الشرح والتوضيح
تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وزاوية توجيه الإلكترون بالنسبة للمجال المغناطيسي. تشير قانون لورنتز إلى أن قوة المغناطيسية على الإلكترون تتناسب طرديًا مع شدة المجال المغناطيسي وزاوية توجيه الإلكترون بالنسبة للمجال المغناطيسي. عندما يكون الإلكترون موازيًا للمجال المغناطيسي، فإن القوة المغناطيسية على الإلكترون تكون صفرًا. عندما يكون الإلكترون عموديًا على المجال المغناطيسي، فإن القوة المغناطيسية على الإلكترون تكون أقصى قيمة لها. لذلك، يمكن القول أن القوة المغناطيسية على الإلكترون تعتمد على كل من شدة المجال المغناطيسي وزاوية توجيه الإلكترون.
